• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, phiên bản không kèm heatsink.
• PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 7.300MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 6.300MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 800K/1,1M IOPS.
• Sử dụng NAND TLC 3D, hướng đến gaming và workstation hiệu năng cao.
• Độ bền 600TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, phiên bản không kèm heatsink.
• PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 7.300MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 6.300MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 800K/1,1M IOPS.
• Sử dụng NAND TLC 3D, hướng đến gaming và workstation hiệu năng cao.
• Độ bền 600TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, đọc tuần tự lên đến 6.800MB/s.
• Ghi tuần tự tối đa 5.800MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 760K/1,2M IOPS.
• Sử dụng Western Digital TLC 3D NAND, hướng đến gaming và tác vụ hiệu suất cao.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, đọc tuần tự lên đến 6.800MB/s.
• Ghi tuần tự tối đa 5.800MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 760K/1,2M IOPS.
• Sử dụng Western Digital TLC 3D NAND, hướng đến gaming và tác vụ hiệu suất cao.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, đọc tuần tự lên đến 6.800MB/s.
• Ghi tuần tự tối đa 5.800MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 760K/1,2M IOPS.
• Sử dụng Western Digital TLC 3D NAND, hướng đến gaming và tác vụ hiệu suất cao.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 500GB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, đọc tuần tự lên đến 6.800MB/s.
• Ghi tuần tự tối đa 5.800MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 760K/1,2M IOPS.
• Sử dụng Western Digital TLC 3D NAND, hướng đến gaming và tác vụ hiệu suất cao.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, tốc độ đọc lên đến 6.600MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự đạt 5.600MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 660K/1,1M IOPS.
• Sử dụng SANDISK 3D CBA NAND và công nghệ nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, tốc độ đọc lên đến 6.600MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự đạt 5.600MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 660K/1,1M IOPS.
• Sử dụng SANDISK 3D CBA NAND và công nghệ nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, tốc độ đọc lên đến 6.600MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự đạt 5.600MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 660K/1,1M IOPS.
• Sử dụng SANDISK 3D CBA NAND và công nghệ nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 500GB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• PCIe Gen 4.0 x4, tốc độ đọc lên đến 6.600MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự đạt 5.600MB/s, đọc/ghi ngẫu nhiên 660K/1,1M IOPS.
• Sử dụng SANDISK 3D CBA NAND và công nghệ nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• Giao tiếp PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 5.000MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 4.000MB/s, random write đến 770K IOPS.
• Sử dụng NAND 3D TLC và công nghệ Western Digital nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• Giao tiếp PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 5.000MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 4.000MB/s, random write đến 770K IOPS.
• Sử dụng NAND 3D TLC và công nghệ Western Digital nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• Giao tiếp PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 5.000MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 4.000MB/s, random write đến 770K IOPS.
• Sử dụng NAND 3D TLC và công nghệ Western Digital nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 500GB, chuẩn M.2 2280 nhỏ gọn.
• Giao tiếp PCIe Gen4 x4, tốc độ đọc lên đến 5.000MB/s.
• Tốc độ ghi tuần tự tối đa 4.000MB/s, random write đến 770K IOPS.
• Sử dụng NAND 3D TLC và công nghệ Western Digital nCache 4.0.
• Độ bền 300TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2230, giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.300MB/s, ghi đến 1.700MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 119.000/395.000 IOPS.
• Hỗ trợ SLC Caching, LDPC ECC, S.M.A.R.T và Advanced Garbage Collection.
• TBW 300TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2230, giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.300MB/s, ghi đến 1.700MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 119.000/395.000 IOPS.
• Hỗ trợ SLC Caching, LDPC ECC, S.M.A.R.T và Advanced Garbage Collection.
• TBW 300TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 512GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2230, giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.300MB/s, ghi đến 1.700MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 119.000/395.000 IOPS.
• Hỗ trợ SLC Caching, LDPC ECC, S.M.A.R.T và Advanced Garbage Collection.
• TBW 300TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 240GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp SATA III 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 500MB/s, ghi lên đến 350MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 28.000/75.000 IOPS.
• Hỗ trợ TRIM, NCQ, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection và DevSleep.
• Dung lượng 120GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp SATA III 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 500MB/s, ghi lên đến 350MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 28.000/75.000 IOPS.
• Hỗ trợ TRIM, NCQ, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection và DevSleep.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc lên đến 14.700 MB/s, ghi lên đến 13.300 MB/s.
• Samsung V-NAND TLC, bộ nhớ đệm 1GB LPDDR4X.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.850K/2.600K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành tối đa 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc lên đến 14.700 MB/s, ghi lên đến 13.300 MB/s.
• Samsung V-NAND TLC, bộ nhớ đệm 1GB LPDDR4X.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.850K/2.600K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành tối đa 5 năm.