• Dung lượng 1TB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 4.800MB/s, ghi đến 2.800MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 300.000/520.000 IOPS.
• Tích hợp tản nhiệt graphene, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi hoạt động.
• TBW 300TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 500GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 4.800MB/s, ghi đến 2.800MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 300.000/520.000 IOPS.
• Tích hợp tản nhiệt graphene, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi hoạt động.
• TBW 300TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, sử dụng 3D NAND.
• Giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4, tương thích chuẩn NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc lên đến 7.400MB/s, ghi đến 5.200MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 660.000/500.000 IOPS.
• Tích hợp tản nhiệt graphene, hỗ trợ kiểm soát nhiệt và hiệu năng ổn định.
• TBW 600TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, sử dụng 3D NAND.
• Giao tiếp NVMe PCIe Gen4 x4, tương thích chuẩn NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc lên đến 7.400MB/s, ghi đến 5.200MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 660.000/500.000 IOPS.
• Tích hợp tản nhiệt graphene, hỗ trợ kiểm soát nhiệt và hiệu năng ổn định.
• TBW 600TB, MTBF 2.000.000 giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen3 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.000MB/s, ghi đến 1.300MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 250.000/170.000 IOPS.
• Hỗ trợ LDPC, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection, MTBF 2 triệu giờ.
• Dung lượng 1TB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen3 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.000MB/s, ghi đến 1.300MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 250.000/170.000 IOPS.
• Hỗ trợ LDPC, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection, MTBF 2 triệu giờ.
• Dung lượng 500GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen3 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.000MB/s, ghi đến 1.300MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 250.000/170.000 IOPS.
• Hỗ trợ LDPC, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection, MTBF 2 triệu giờ.
• Dung lượng 250GB, sử dụng bộ nhớ 3D NAND.
• Chuẩn M.2 2280, giao tiếp NVMe PCIe Gen3 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 3.000MB/s, ghi đến 1.300MB/s.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên 4K đạt tối đa 250.000/170.000 IOPS.
• Hỗ trợ LDPC, S.M.A.R.T, Advanced Garbage Collection, MTBF 2 triệu giờ.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc lên đến 14.700 MB/s, ghi lên đến 13.300 MB/s.
• Samsung V-NAND TLC, bộ nhớ đệm 1GB LPDDR4X.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.850K/2.600K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành tối đa 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc lên đến 14.700 MB/s, ghi lên đến 13.300 MB/s.
• Samsung V-NAND TLC, bộ nhớ đệm 1GB LPDDR4X.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.850K/2.600K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành tối đa 5 năm.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Tích hợp tản nhiệt Heatsink, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi SSD hoạt động ở hiệu suất cao.
• Samsung V-NAND TLC, cache 1GB DDR4 SDRAM.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS, phù hợp PC gaming và hệ thống hiệu năng cao.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Tích hợp tản nhiệt Heatsink, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi SSD hoạt động ở hiệu suất cao.
• Samsung V-NAND TLC, cache 1GB DDR4 SDRAM.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS, phù hợp PC gaming và hệ thống hiệu năng cao.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.
• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.